Производитель - Hynixl; Тип памяти - DDR4; CAS Latency (CL) - 19; Буферизованная (Registered) - Да; Емкость одного модуля - 1 модуль 32 ГБ; Количество ранков - 2; Напряжение питания - 1.2 В; Пропускная способность - 21300 МБ/с; Тактовая частота - 2666 МГц; Форм-фактор - DIMM 240-контактный 288-контактный;