Оперативная память Samsung

Сортировать по: умолчанию цене названию
Товары 1-4 из 4
  • Samsung DDR4 SODIMM 4GB M471A5244CB0-CTD PC4-21300, 2666MHz
    Samsung DDR4 SODIMM 4GB M471A5244CB0-CTD PC4-21300, 2666MHz

    Производитель - Samsung; Тип памяти - DDR4; CAS Latency (CL) - 19; Буферизованная (Registered) - нет; Емкость одного модуля - 4096 Мб; Количество ранков - 1; Напряжение питания - 1.2 В; Пропускная способность - 21300 МБ/с; Тактовая частота - 2666 МГц; Форм-фактор - SODIMM 240-контактный 260-контактный;

    1 245 руб
  • Samsung DDR4 DIMM 8GB M378A1K43CB2-CTD PC4-21300, 2666MHz
    Samsung DDR4 DIMM 8GB M378A1K43CB2-CTD PC4-21300, 2666MHz

    Производитель - Samsung; Тип памяти - DDR4; CAS Latency (CL) - 19; Буферизованная (Registered) - нет; Емкость одного модуля - 8192 Мб; Количество ранков - 1; Напряжение питания - 1.2 В; Пропускная способность - 21300 МБ/с; Тактовая частота - 2666 МГц; Форм-фактор - DIMM 240-контактный 288-контактный;

    2 206 руб
  • Samsung DDR4 DIMM 4GB M378A5244CB0-CTD PC4-21300, 2666MHz
    Samsung DDR4 DIMM 4GB M378A5244CB0-CTD PC4-21300, 2666MHz

    Производитель - Samsung; Тип памяти - DDR4; CAS Latency (CL) - 19; Буферизованная (Registered) - нет; Емкость одного модуля - 4096 Мб; Количество ранков - 1; Напряжение питания - 1.2 В; Пропускная способность - 21300 МБ/с; Тактовая частота - 2666 МГц; Форм-фактор - DIMM 240-контактный 288-контактный;

    1 164 руб
  • Samsung DDR4 64GB LRDIMM (PC4-21300) 2666MHz ECC Reg Load Reduced 1.2V (M386A8K40BM2-CTD7Y)
    Samsung DDR4 64GB LRDIMM (PC4-21300) 2666MHz ECC Reg Load Reduced 1.2V (M386A8K40BM2-CTD7Y)

    Производитель - Samsung; Тип памяти - DDR4; CAS Latency (CL) - 19; Буферизованная (Registered) - Да; Емкость одного модуля - 1 модуль 64096 Мб; Количество ранков - 4; Напряжение питания - 1.2 В; Пропускная способность - 21300 МБ/с; Тактовая частота - 2666 МГц; Форм-фактор - LRDIMM 240-контактный 288-контактный;

    21 320 руб
Производители